„IBM“ turėtų raktą gaminti lustus, didesnius nei 7 nm
Turinys:
- IBM ir jos „selektyvusis nusodinimas zonoje“ siekia pagerinti gamybos efektyvumą 7 nm ir toliau
- Nauja „IBM“ technika pakeistų „Samsung“ EUV technologiją
„Big Blue “ sukūrė naujas medžiagas ir procesus, kurie galėtų padėti padidinti lustų gamybos efektyvumą 7 nm mazge ir būsimuose mazguose.
IBM ir jos „selektyvusis nusodinimas zonoje“ siekia pagerinti gamybos efektyvumą 7 nm ir toliau
Didieji mėlynieji baravykai dirba srityje, vadinamoje „selektyviu zonos nusodinimu“, kuri, jų nuomone, galėtų padėti įveikti litografijos metodų trūkumus, kad būtų galima sukurti silicio modelius 7 nm procesuose.
Technikos, tokios kaip „daugialypis modeliavimas“, padėjo užtikrinti, kad IC toliau mažėtų, tačiau lustai sumažėjo nuo 28 nm iki 7 nm, lustų gamintojai turėjo apdoroti daugiau sluoksnių su vis mažesnėmis funkcijomis, kurioms reikia tikslesnis išdėstymas raštuose.
Viena iš problemų yra lygiavimas tarp sluoksnių, kai neteisingai padaryta veda prie „kraštų išdėstymo klaidos“ (EPE). 2015 m. „Intel“ litografijos ekspertas Yanas Borodovsky protokole pažymėjo, kad tai buvo problema, kurios litografija negalėjo išspręsti.
Jis pasiūlė, kad geresnis pasirinkimas būtų pasirinktinis zonų nusėdimas, todėl IBM tyrėjai pradėjo tai peržiūrėti.
Nauja „IBM“ technika pakeistų „Samsung“ EUV technologiją
Tai galėtų būti EUV litografijos įpėdinis, technika, kurią „Samsung“ ruošia kitiems 7 nm ir net 5 nm lustams. Tai neturėtų mūsų nustebinti, nes IBM pirmoji pasaulyje 2015 metais pagamino lustus 7 nanometrų mazge.
IBM Almadeno tyrimų centro tyrėjas Rudy Wojtecki teigė, kad naudojant tradicinius gamybos metodus reikės padengti substratą varžine, modeliuoti varžą ekspozicijos metu, sukurti vaizdą, nusodinti neorganinę plėvelę. ir po to pašalinant varžinę medžiagą, gaunama raštuota neorganinė medžiaga.
Grupė naudoja vieną iš trijų pagrindinių atrankinio ploto nusodinimo metodų, vadinamą „atominių sluoksnių nusėdimu“, daugiausia dėmesio skiriant „savarankiškai surinktų monosluoksnių“ (SAM) naudojimui.
Mes visi, kaip žinome, skamba labai techniškai, tačiau greičiausiai tai bus CPU gamybos ateitis ateinančiais metais, kai 7 nm procesoriai pasieks mūsų kompiuterius, o tai nėra per toli.
„Fudzilla“ šriftas„Samsung“ 2018 m. Ruošiasi gaminti 7 nm lustus
„Samsung“ pradės lustų gamybą 7 nm atstumu 2018 m. Pradžioje, naudodama naują gamybos metodą, pagrįstą nanolitografija.
„Samsung“ pradeda gaminti lustus bitkoinui išgauti
„Samsung“ pradeda gaminti lustus, kad išgautų „Bitcoin“. Sužinokite daugiau apie Korėjos bendrovės planus patekti į kriptovaliutų rinką.
„Samsung“ planuoja masiškai gaminti 3 nm „gaafet“ lustus 2021 m
„Samsung“ patvirtino, kad 2021 m. Planuoja pradėti serijinę 3 nm GAAFET tranzistorių gamybą.
