„Samsung“ praneša apie pirmąją 8 gp lpddr5 atmintį, pagamintą esant 10 nm bangos ilgiui
Turinys:
Šiandien „ Samsung“ paskelbė, kad sėkmingai sukūrė pramonėje pirmąjį 10 nanometrų LPDDR5 DRAM su 8 gigabitų talpa. Tai yra pasiekimas, kurį padarė per ketverius metus dirbę nuo pirmojo 8 GB LPDDR4 lusto pristatymo 2014 m.
„Samsung“ jau turi 8 Gb LPDDR5 atmintį, pagamintą 10 nm banga
„Samsung “ jau dirba visu greičiu, kad kuo greičiau pradėtų masinę savo LPDDR5 atminties technologijos gamybą, kad būtų galima naudoti kitose mobiliosiose programose su 5G ir dirbtiniu intelektu. Šis 8 Gb LPDDR5 lustas pasižymi duomenų perdavimo sparta iki 6400 MB / s, todėl 1, 5 karto greičiau nei dabartinės 4266 Mb / s LPDDR4X lustai. Šis didelis greitis leis jums per vieną sekundę nusiųsti 51, 2 GB duomenų arba 14 „HD“ vaizdo įrašų failų, kurių kiekvienas yra 3, 7 GB.
Mes rekomenduojame perskaityti mūsų įrašą apie „ Samsung“ pradedant masinę savo penktosios kartos VNAND atminties gamybą
10 nm LPDDR5 DRAM bus pasiekiamas dviem pralaidumais: 6400 Mb / s, kai darbinė įtampa 1, 1v, ir 5500 Mb / s, esant 1, 05 V, todėl tai yra universaliausias išmaniųjų telefonų ir automobilių sistemų mobiliosios atminties sprendimas. naujos kartos. Šis našumo progresas buvo įmanomas atliekant įvairius architektūrinius patobulinimus, pavyzdžiui, padidinant atminties bankų skaičių nuo aštuonių iki 16, kad būtų pasiektas daug didesnis greitis ir sumažintas energijos suvartojimas. Naujojoje LPDDR5 mikroschemoje taip pat naudojama labai pažangi, greičiui optimizuota grandinės architektūra, kuri patikrina ir garantuoja našumą.
Dėl mažų vartojimo savybių DRAM LPDDR5 atmintis sumažins energijos suvartojimą iki 30%, maksimaliai padidins mobiliųjų įrenginių našumą ir prailgins prietaisų akumuliatoriaus tarnavimo laiką.
„Samsung“ planuoja pradėti masinę naujos kartos DRD serijų LPDDR5, DDR5 ir GDDR6 gamybą, atsižvelgdama į pasaulinių klientų poreikius, pasitelkdama naujausią gamybos infrastruktūrą naujausioje savo serijoje Pyeongtaeke, Korėjoje.
Informacija apie jų procesą pavogta iš tsmc, esant 28 nm bangos ilgiui
Buvęs TSMC darbuotojas pavogė slaptą informaciją apie bendrovės 28 nm technologiją, kad galėtų ją pateikti vienam iš konkurentų.
„Samsung“ pradeda savo gamybos procesą esant 7 nm bangos ilgiui
„Samsung“ pradėjo 7 nm lustų gamybos procesą, naudodamasi EUV technologija, visa detale.
„Samsung“ gamybos procesas jau paruoštas esant 8 nm bangos ilgiui
„Samsung“ oficialiai atskleidė, kad jos naujasis 8 nm LPP gamybos procesas yra paruoštas gaminti pirmuosius lustus.
