„Samsung“ pradeda masinę savo atsiminimų gamybą
Turinys:
Pasaulinės atminties mikroschemų gamybos lyderė „ Samsung “ paskelbė, kad pradėjo masinę savo naujos 64 sluoksnių V-NAND technologijos, kurios tankis siekia 256 Gb vienam lustui, masinę gamybą, kad būtų galima sudaryti naujos kartos įrenginius su aukštesne saugojimo talpa.
Nauji „Samsung“ 64 sluoksnių „V-NAND“ prisiminimai
Jau sausio mėnesį „Samsung“ pradėjo gaminti naujus 64 sluoksnių, 256 GB talpos V-NAND lustus, nuo to laiko stengiasi pasiūlyti vartotojams naujos kartos įrenginius, turinčius didelę atminties talpą, tai apima išmaniuosius telefonus, SSD ir UFS atmintines. integruota. Naujas žingsnis buvo pradėti masinę šios naujos atminties technologijos, kuri iki metų pabaigos sudarys 50% jos mėnesio produkcijos, gamybą.
5 priežastys pirkti „Samsung Galaxy S8“
Naujosios „Samsung“ 64 sluoksnių „V-NAND“ atminties perdavimo sparta yra 1 Gbps, todėl ji yra greičiausia rinkoje. Ryškiausios jo savybės ir toliau tebėra, kai puslapio programavimo laikas yra vos 500 mikro sekundžių, šiuo atžvilgiu jis yra ir greičiausias rinkoje bei 1, 5 karto greitesnis nei ankstesnė bendrovės 48 sluoksnių atmintis. Šie našumo rodikliai rodo 30% produktyvumo padidėjimą, palyginti su ankstesne 48 sluoksnių atmintimi.
Mes tęsiame energijos vartojimo efektyvumą, tai yra, kad naujoms mikroschemoms reikalinga 2, 5 V įvesties įtampa, 30% mažesnė nei ankstesnėje 48 sluoksnių atmintyje, taigi energijos efektyvumas bus geresnis, o mobiliųjų įrenginių akumuliatorių sunaudojama mažiau integracija bus mažesnė. Naujų atminties mikroschemų patikimumas taip pat pagerėjo 20 proc. Visus šiuos patobulinimus įgalino keletas pažangių „V-NAND“ gamybos proceso pakeitimų, kuriuos naudoja Pietų Korėjos įmonė.
Visa tai buvo atlikta po 15 metų trukusio tyrimo ir daugiau nei 500 V-NAND atminties struktūros patentų, kad būtų sukurtas geriausias įmanomas dizainas. „Samsung“ padėjo pamatus toliau tobulinti atminties technologiją, kitas žingsnis yra 90 sluoksnių lustai, kurių talpa 1 Tb.
Šaltinis: samsung
„Samsung“ pradeda masinę savo penktosios kartos „vnand“ atminties gamybą
Pasaulinė pažangių atminties technologijų lyderė „Samsung Electronics“ šiandien paskelbė masinės savo naujų atminties mikroschemų gamybos pradžią. „Samsung“ šiandien paskelbė, kad pradeda gaminti masiškai savo naujosios penktosios kartos VNAND atminties mikroschemas, visas detales.
„Samsung“ pradeda masinę savo antrosios kartos 10nm „finfet 10lpp“ gamybą
Dabar „Samsung“ yra pasirengusi pradėti masinę pirmųjų lustų gamybą, naudodama savo naują 10 nm „FinFET 10LPP“ gamybos procesą.
„Samsung“ pradeda masinę savo antrosios kartos 10 nm dramų gamybą
„Samsung“ jau pradėjo masinę savo antrosios kartos DRAM atminties gamybą, naudodamas 10 nm gamybos procesą.
