„Snapdragon 835“ išfiltravo savo charakteristikas: 8 šerdys ir 10 nm ilgio kojelės

„Qualcomm“ nori metus pradėti nuo didelio populiarumo sultingų išmaniųjų telefonų rinkoje, ir nėra jokio geresnio būdo tai padaryti, nei pranešti, koks bus naujasis aukščiausios klasės procesorius. Dėl aštuonių didelio našumo branduolių ir 10 nm „FinFET“ proceso efektyvumo, „ Qualcomm Snapdragon 835 “ atgaivins naujos kartos įrenginius, galinčius labiau nei bet kada anksčiau.

„ Snapdragon 835“ bus paskelbtas kitą savaitę „ CES 2017 “. Naujasis procesorius pagamintas naudojant pažangų 2-osios kartos 10 nm „FinFET“ procesą, kad būtų padarytas didelis energijos efektyvumo šuolis. Dėl šios priežasties procesorius sunaudos 20% mažiau nei „Snapdragon 820“, nepaisant to, kad yra akivaizdžiai pranašesnis, jei jame yra aštuonios „Kryo 280“ šerdies, padalytos į dvi keturių branduolių grupes, esant 2, 45 GHz ir 1, 90 GHz.

Mes rekomenduojame mūsų vadovą apie geriausius žemos ir vidutinės klasės išmaniuosius telefonus.

Grafikos skyriuje rasime „ Adreno 540 GPU “, siūlantį puikų vaizdo žaidimų našumą ir suderinamumą su naujausiomis API, tokiomis kaip „ DirectX 12“ ir „Vulkan“. Mes tęsiame „ Hexagon 690 DSP“, kuris leidžia turinį atkurti 4K raiška ir 60 FPS. Nutekėjusi informacija užbaigiama naudojant „ 4G LTE Cat.16“ ryšį, kurio didžiausias atsisiuntimo greitis yra 1000 Mbps.

Šaltinis: videocardz