I3-8121u šerdies analizė mikroskopu atskleidžia 10 nm tri paslaptis

Naujasis „ Intel“ 10 milijonų „Tri-Gate“ gamybos procesas priešinasi daugiau, nei tikėtasi, nes jis jau daugiau nei dvejus metus atsilieka nuo planuoto iš pradžių. Siekdami išsiaiškinti kai kuriuos jo raktus, tyrėjai išspausdino „Core i3-8121U“, pagamintą naudojant šį procesą.

„Intel“ 10 nm „Tri-Gate“ gamybos procesas yra labai ambicingas

„Core i3-8121U“ procesoriaus mikroskopu atlikta analizė parodė, kad „Intel“ 10 nm „Tri-Gate“ gamybos procesas suteikia tranzistoriaus tankio padidėjimą iki 2, 7 kartų, palyginti su dabartiniu procesu esant 14 nm „Tri-Gate“. Šis didelis progresas leido integruoti ne mažiau kaip 100, 8 mln. Tranzistorių viename kvadratiniame milimetre, o tai reiškia, kad 12, 8 milijardo tranzistorių yra tik 127 mm² matricos.

Mes rekomenduojame perskaityti mūsų įrašą „ Sony PlayStation Hits“ geriausiuose PS4 žaidimuose už 19, 99 euro

Šis mazgas, esantis 10 nm, naudoja trečiosios kartos „FinFET“ technologiją, kuriai būdingas mažiausias vartų žingsnis nuo 70 nm iki 54 nm ir mažiausias metalo žingsnis nuo 52 nm iki 36 nm. Su šiais 10 nm „Intel“ ketina pristatyti kobalto metalizaciją dideliuose ir tvirtinamuose silicio substrato sluoksniuose. Kobaltas yra gera alternatyva volframui ir variui, kaip kontaktinei medžiagai tarp sluoksnių, dėl mažesnio jo atsparumo.

Tai yra ambicingiausias „Intel“ gamybos procesas ir tai būtų pagrindinė visų problemų, kurias jis sukelia įmonei, priežastis, nors tokie užmojai bus mažai naudingi, jei jiems nepavyks pasiekti pakankamo brandumo lygio. Tikimės, kad „Intel“ sugebės ją patobulinti, kad pasiūlytų mums geriausius procesorius.

„Techpowerup“ šriftas