„Samsung“ sukūrė pirmuosius 3 nm „gaafet“ mazgus
Turinys:
Iki 2030 m. „ Samsung“ planuoja tapti pirmaujančia puslaidininkių gamintoja pasaulyje, aplenkdama tokias kompanijas kaip TSMC ir „Intel“. Norėdami tai pasiekti, įmonė turi žengti į priekį technologiniu lygiu, todėl jie paskelbė apie pirmųjų 3 nm GAAFET lusto prototipų sukūrimą.
„Samsung“ paskelbė, kad pagamino savo pirmuosius prototipus „3 nm GAAFET“
„Samsung“ investuoja į įvairias naujas technologijas, pralenkdama moderniausių tranzistorių „ FinFET“ struktūrą, siekdama naujo dizaino, pavadinto „GAAFET“. Šią savaitę „Samsung“ patvirtino, kad ji pagamino savo pirmuosius prototipus naudodama suplanuotą 3 nm GAAFET mazgą - svarbų žingsnį link galimo serijinės gamybos.
Palyginti su kitu „Samsung“ 5 nm mazgu, 3 nm GAAFET yra sukurtas taip, kad pasiūlytų didesnį našumą, geresnį tankį ir žymiai sumažintų energijos sąnaudas. „Samsung“ skaičiuoja, kad jos 3 nm GAAFET mazgas padidins silicio tankį 35% ir 50% sumažins energijos sunaudojimą per 5 nm mazgą. Be to, tikimasi, kad sumažinus vien mazgą, našumas padidės iki 35%.
Apsilankykite geriausių perdirbėjų rinkoje vadove
„Samsung“, iš pradžių paskelbusi apie 3 nm GAAFET mazgą, pranešė, kad planuoja pradėti masinę gamybą 2021 m., O tai yra tokio ambicingo mazgo ambicingas tikslas. Jei pasiseks, „Samsung“ turi galimybę pasigaminti rinkos dalį iš TSMC, darant prielaidą, kad jos technologija gali užtikrinti geresnį našumą ar tankį, nei siūlo TSMC.
„Samsung“ GAAFET technologija yra „FinFET“ struktūros, kuri šiuo metu naudojama moderniausiuose lustuose, evoliucija. Tai vartotojams suteikia keturių durų struktūrą aplink tranzistoriaus kanalus. Būtent tai GAAFET suteikia „Gate-All-Around“ pavadinimą, nes 4 durų architektūra apima visas kanalo puses ir sumažina energijos nutekėjimą. Tai leidžia naudoti didesnį tranzistoriaus galios procentą, o tai padidina energijos efektyvumą ir našumą.
Išvertus į ispanų kalbą, tai reiškia, kad 3 nm procesoriai ir grafika žymiai pagerins našumą ir energijos suvartojimą. Mes jus informuosime.
„Overclock3d“ šriftasPC žaidimų x99 sukūrė miguepr
„Gaming X99“ kompiuterio laikiklis „MiguePR“ su „i7-5820k“ procesoriumi, „MSI X99S Gaming 9AC“ pagrindinė plokštė, „Nvidia GTX780“, 16 GB DDR4, „Samsung 840 EVO SSD“ ir „EVGA Supernova 750W G2“ šaltinis.
„Intel“ planuoja iki 2029 m. Sukurti 1,4 nm mazgus
Iš gairių paaiškėja, kad „Intel“ kelyje yra 3 nm ir 2 nm, o šiuo metu tiriamas 1,4 nm mazgas.
„Intel“ 2021 m. Naudos 6 nm ilgio tsmc mazgus, o 2022 m. - 3 nm mazgus
„Intel“ tikisi, kad 2021 m. Plačiai naudos TSMC 6 nanometrų procesą ir šiuo metu bando.
